特許

J-GLOBAL ID：200903086363417601

レジストパターンの形成方法

発明者： 呂 起 成 ,  南 廷 林
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226025
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083087
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストパターニング時に発生する感光膜のバーニング現象を防止することができるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ10上に感光膜を塗布した後、食刻して微細なレジストパターン12を形成する方法において、感光膜塗布後、レジストパターン12のサーマルフロー量を調節するために、充分な量のDUV(deep ultra violet)露光16工程を遂行する段階と、前記レジストパターン12のバーニング(burning)を防止するために、高温ベーク工程を付加してパターンを硬化させた後、食刻工程を遂行する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布された感光性レジストを選択的に露光し、パターニングされたレジストパターンを形成する第1の段階と、前記レジストパターンのサーマルフロー量を調節するために、前記レジストパターンを所望量のDUVに露光する第2の段階と、後続工程で前記レジストパターンがバーニングされない程度に前記レジストパターンをベークし、前記レジストパターンを硬化する第3の段階とを具備したことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 571