光メモリ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351541
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176274
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】安価かつ早期に製造でき、限られた体積でより大容量の情報を保持できる光メモリ素子を提供する。【解決手段】基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が2以上直接積層されてなることを特徴とする光メモリ素子。

請求項（抜粋）：

基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が2以上積層されてなることを特徴とする光メモリ素子。

IPC (3件)：

G11C 13/04 , G02B 6/12 , G03H 1/00

FI (3件)：

G11C 13/04 Z , G03H 1/00 , G02B 6/12 Z

Fターム (11件)：

2H047KA03 , 2H047KA11 , 2H047KB08 , 2H047QA05 , 2H047QA07 , 2H047RA00 , 2H047TA00 , 2K008AA04 , 2K008CC03 , 2K008EE07 , 2K008GG05

引用特許：

審査官引用 (2件)

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