特許

J-GLOBAL ID：200903086371489948

半導体メモリ装置

発明者： 知識 茂雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182461
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 チップ面積を大きくすることなく電源マージンを向上することのできる半導体メモリ装置を実現すること。【構成】 複数に分割されたワード線と、該分割されたワード線のそれぞれに設けられた電流供給用の複数のドライバとを具備する半導体メモリ装置において、外部電圧を昇圧して前記複数のドライバに供給する昇圧手段と、前記昇圧手段の出力と規準電圧とを比較した結果を示す検知信号を出力する電圧検知回路とを具備し、前記昇圧手段は検知信号が示す比較結果に応じて外部電圧の昇圧動作を行う。

請求項（抜粋）：

複数に分割されたワード線と、該分割されたワード線のそれぞれに設けられた電流供給用の複数のドライバとを具備する半導体メモリ装置において、外部電圧を昇圧して前記複数のドライバに供給する昇圧手段と、前記昇圧手段の出力と規準電圧とを比較した結果を示す検知信号を出力する電圧検知回路とを具備し、前記昇圧手段は検知信号が示す比較結果に応じて外部電圧の昇圧動作を行うことを特徴とする半導体メモリ装置。