特許

J-GLOBAL ID：200903086372078160

電圧を利用した強磁性薄膜の磁化容易軸制御方法及びこれを利用した磁気メモリーとその情報記録方法

発明者： サン クー キム ,  スン チュル シン ,  クァンスー ノ
出願人/特許権者： コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー ,  ソウル ナショナル ユニバーシティ
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343023
公開番号（公開出願番号）：特開2003-233983
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 強磁性薄膜を利用した不揮発性磁気メモリーの集積度と節電性を向上する方法を提供する。【解決手段】 電極層、圧電層及び磁性層を配置し、電極層に電圧を印加して電界が確保されると、圧電層に格子拡張(または格子圧縮)が励起された後、磁性層に引張り応力または圧縮応力が加えられることによって磁性層の自発磁化方向を左右する磁化容易軸が、薄膜面で垂直軸にまたはその逆にスイッチングされる。これを利用した磁気メモリーによれば、磁場を印加しなくても情報を記録することが可能で、超高集積度不揮発性メモリー素子を形成する時、メモリーセルの大きさが小さくなりセル間の間隔が狭まり発生する情報流失と情報記録時の信頼度損失を抑制できる効果がある。

請求項（抜粋）：

電極層、圧電層及び磁性層を積層構造に配置して、上記電極層に電圧を印加して電界が発生されると、上記圧電層の格子に歪が生じ、上記磁性層に応力が加えられることによって上記磁性層の磁化容易軸が薄膜面とそれに垂直な方向の間で可逆的にスイッチングされることを特徴とする電圧を利用した強磁性薄膜の磁化容易軸制御方法。

IPC (8件)：

G11C 11/15 110 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (11件)：

G11C 11/15 110 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 L ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264629   出願人：ソニー株式会社
• 磁気機能素子及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200840   出願人：ソニー株式会社
• メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240419   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-205582
  
• 表面弾性波素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-159198   出願人：アイシン精機株式会社, 株式会社豊田中央研究所