特許

J-GLOBAL ID：200903086375179749

化合物半導体レーザ装置

発明者： 板谷 和彦 ,  布上 真也 ,  石川 正行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351166
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186650
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】低しきい値動作が可能な短波長帯化合物半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ装置の基板上には、n-AlGaNクラッド層11、活性層12、p-AlGaNクラッド層13、p-GaNコンタクト層14、15、p側電極16が順次配設される。p側電極16、p-コンタクト層15、14、p-クラッド層13は、レーザビームの発振方向に沿って延びるリッジ構造10を形成する。p-クラッド層13はリッジ構造10の一部であるリッジ部分13aとリッジ部13aの両側の延在部13bとを有する。リッジ構造10の各側面上には、誘電体であるSiO2 からなる被覆層19が配設される。リッジ構造10の全長を覆うようにCr/Au電極層18が配設される。電極層18はp側電極16に接続されると共に延在部13bの露出表面に対して非オーミックコンタクトを形成する。

請求項（抜粋）：

Alを含む第1導電型の化合物半導体からなる第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に配設された化合物半導体からなる活性層と前記活性層上に配設されたAlを含む第2導電型の化合物半導体からなる第2クラッド層と、前記第1及び第2クラッド層間に前記活性層が挟まれることと、前記2クラッド層は、前記2クラッド層から前記活性層とは反対側に突出し且つレーザビームの発振方向に沿って延びるリッジ構造の一部をなすリッジ部と、前記リッジ部の両側で側方に延在する延在部とを有することと、前記第2クラッド層と接触するように前記リッジ部の各側面を覆う誘電体からなる被覆層と、前記第1クラッド層に接続された第1電極と、前記リッジ構造の上面を介して前記第2クラッド層に接続されると共に前記延在部において前記第2クラッド層と非オーミックコンタクトを形成する第2電極と、を具備することを特徴とする化合物半導体レーザ装置。