特許
J-GLOBAL ID：200903086381965225
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015350
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213602
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造のトランジスタの形成時に、N+不純物拡散層を使用しないトランジスタにおいて、LDD枠形成時におきるオーバーエッチングによりソース・ドレイン部のN-不純物拡散層が消失するためにトランジスタ特性が劣化するのを防止する。【構成】 基板3上に絶縁膜を経て構成された電極2にソース・ドレイン部を形成するためのN-不純物1をドープし、次にLDD枠形成用のCVD酸化膜4を堆積し、その後異方性エッチングを行ってLDD枠6を形成し、再びN-不純物7をドープし、消失したN-不純物拡散層8を再び形成する。【効果】 安定したトランジスタ特性が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を経て構成された電極にソース・ドレイン部を形成するためのN-不純物をドープし、次にLDD枠形成用のCVD酸化膜を堆積し、その後異方性エッチングを行ってLDD枠を形成する半導体装置の製造方法において、前記LDD枠形成後、前記基板上に再びN-不純物をドープし、消失したN-不純物拡散層を再び形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 29/78 301 L
, H01L 27/10 671 Z
, H01L 29/78 301 P
