特許
J-GLOBAL ID：200903086382036791
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永田 武三郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216082
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ビアホールのRIE後、2層目配線用Alを形成する前に、ビアホール内を清浄にしておく方法を提供するものである。【構成】 ビアホール10をフレオン系ガスのRIEによって開孔した後、引き続き、O2ガスのみでRIE処理することによって、レジスト8及び反応生成物5をある程度エッチングすると共に、その後に行うレジスト剥離工程でレジストや反応生成物を除去しやすい状態に変質させる。さらに、RIEプロセスによって生じたビアホール内1層目Al合金3の表面の変質層6を、リン酸+硝酸系の液で軽くエッチングすることによって、1層目Al合金3と2層目Al配線9の接続を確実なものとすることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジストパターンを形成し、所定気圧の所定ガス内でRIEによって上記レジスト及びレジストパターン形成時に生じた反応生成物をエッチングし、そのエッチング部分の表面上に所定の酸化膜を形成し、そして上記エッチング部分のレジスト剥離を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
