特許

J-GLOBAL ID：200903086385335722

半導体検査方法

発明者： 小沢 正彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336552
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178072
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 電気特性などの検査において半導体素子と検査結果との対応精度を向上させる。【解決手段】 半導体チップ2上の電極に接触させるプローブ針を備えた検査用のプローバ3と、半導体チップ2に形成された半導体集積回路の電気的特性の検査を行うLSIテスタ4と、検査結果をウェハマップとして出力する記録装置5とからなり、半導体ウェハ1上における半導体チップ2の位置を表すアドレス2aを半導体チップ2が有する半導体集積回路に書き込み、プローブ検査の際に、プローバ3によりこのアドレス2aを電気的に読み取って半導体チップ2の電気的特性を検査する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体ウェハに前記半導体ウェハの特定部位を表す表示手段を付す工程と、前記表示手段を認識して前記半導体素子の検査を行う工程とを有することを特徴とする半導体検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 B ,  H01L 21/02 A ,  G01R 31/28 K