特許
J-GLOBAL ID：200903086395190099
低温動作半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291249
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129315
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は200K以下の低温においてベース遅延時間を短縮して高速動作するベース濃度分布を提供することである。【構成】ベース領域のコレクタ側の導電不純物濃度を前記ベース領域のエミッタ側よりも高くする。【効果】本発明のベース濃度分布によればバンドギャップ縮小効果による内蔵電界により、200K以下の低温においてベースの遅延時間を低減し、高速なバイポーラトランジスタを提供することができる。
請求項（抜粋）：
200K以下の低温で動作するとともに、半導体基板の表面に形成されたエミッタ領域から該半導体基板の内部に形成されたコレクタ領域に向かってエミッタ電流もしくはコレクタ電流となるキャリヤが流れる如く構成されたバイポーラトランジスタであって、ベース領域のコレクタ側の不純物濃度が前記ベース領域のエミッタ側の不純物濃度よりも高濃度にされたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
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