特許
J-GLOBAL ID：200903086406324610
プラズマプロセス装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190466
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】ウエハをピンやクランプで押さえることなく、ウエハ全面に均一にTiN層等を形成することができる、プラズマを用いて半導体ウエハを処理することが可能なプラズマプロセス装置を提供する。【構成】本発明のプラズマプロセス装置1は、サセプター12上に載置されたウエハ100を加熱するランプ加熱手段50を備えている。プラズマは、電子サイクロトロン共鳴放電(ECR)にて発生させられることが望ましい。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いて半導体ウエハを処理するプラズマプロセス装置であって、サセプター上に載置されたウエハを加熱するランプ加熱手段を備えていることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H01L 21/285 301
, H01L 21/31
