特許
J-GLOBAL ID：200903086408212968
高周波回路用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた高周波集積回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089925
公開番号（公開出願番号）：特開平6-303087
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 一つのシリコン基板上に高周波増幅素子と表面弾性波素子を作製する高周波集積回路素子にあって、かつ、表面弾性波素子による表面弾性波の影響が同一基板上に形成されている他の素子へ及ぶことのない高周波回路用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた高周波集積回路素子を提供すること。【構成】 シリコン基板1上に形成された下部に空間10を有するシリコン膜上に誘電体薄膜5が形成され、前記空間によって隔てられた他の部分に半導体薄膜6が形成されていることを特徴とする高周波回路用基板および前記半導体薄膜に高周波増幅素子が形成され、前記誘電体薄膜に表面弾性波素子が形成された高周波集積回路素子。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された下部に空間を有するシリコン膜上に誘電体薄膜が形成され、前記空間によって隔てられた他の部分に半導体薄膜が形成されていることを特徴とする高周波回路用基板。
IPC (3件)：
H03H 9/25
, H01L 29/804
, H03H 3/08
