特許

J-GLOBAL ID：200903086410738241

半導体装置およびレーザスクライビング法

発明者： 竹野 祥瑞 ,  森安 雅治 ,  林 一夫 ,  玉置 政博
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173960
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022237
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 スクライビング部におけるレーザビームエネルギの吸収率が低いので、加工速度を速めるとレーザ溶断部からスプラッシュが発生し、歩留りを低下させるという課題があった。【解決手段】 半導体装置は、半導体ウエハ14と金属層12との積層体16から成る。スクライビング部17は、半導体ウエハ除去部18と金属層12に形成された溝20とから成り、スクライビング部17に露出した金属層12の表面に、レーザビームエネルギの吸収率が金属層12内部よりも高い層22が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハと金属層との積層体から成る半導体装置において、スクライビング部が、半導体ウエハ除去部と前記金属層に形成された溝とから成り、前記スクライビング部に露出した前記金属層の表面に、レーザビームエネルギの吸収率が前記金属層内部よりも高い層が形成されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  H01S 3/00

FI (4件)：

H01L 21/78 B ,  B23K 26/00 320 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 21/78 L