特許

J-GLOBAL ID：200903086411501830

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 伊藤 義行 ,  松浦 初美 ,  渡邊 実 ,  島田 直弘 ,  栗原 春樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335972
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 リッジ部の抵抗を低減すると共にリッジ部に並列な部分でのリ-ク電流の発生を抑制しうる半導体レ-ザ及びその製造方法を提供することである。【構成】 半導体レ-ザは、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層16と、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層18とキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-InGaAlPクラッド層19との2層構造からなるストライプ状のリッジ部と、p-InGaAlPクラッド層16上に設けられたキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-GaAsコンタクト層22とを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、上記半導体基板上に順次設けられた第1導電型の第1のクラッド層、活性層及び第2導電型の第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層上にストライプ状に設けられた少なくともキャリア濃度の異なる2層以上の積層構造からなる第2導電型の積層クラッド層とを具備することを特徴とする半導体レ-ザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-154184
  
• 特開平2-152292
  
• 特開平4-142093