特許

J-GLOBAL ID：200903086416125900

半導体装置及びその製造方法

発明者： 進藤 昭則
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-350954
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039170
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 ダイシング工程でAlのかえりが発生しても半導体チップの不良を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にバンプ19を形成する工程と、前記バンプ19を被覆するポリイミド膜を形成する工程と、ウエハを切断して半導体チップ16に分離する工程と、前記半導体チップ16の表面を保護絶縁膜20により被覆する工程と、前記ポリイミド膜を除去する工程と、リード24を有する基板23を準備し、前記リードと前記バンプ19を加熱して加圧することにより、前記基板23に前記半導体チップ16を実装する工程と、を具備し、前記バンプ19は前記保護絶縁膜20から露出している。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

外部端子を有する半導体チップであって、 前記半導体チップの表面が保護絶縁膜により被覆され、 前記外部端子が前記保護絶縁膜から露出している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/56 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60

FI (3件)：

H01L21/56 F ,  H01L21/60 311R ,  H01L21/88 T

Fターム (28件)：

5F033HH09 ,  5F033HH13 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK09 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX31 ,  5F044NN02 ,  5F044QQ08 ,  5F061AA04 ,  5F061BA05 ,  5F061CB06 ,  5F061CB13