特許

J-GLOBAL ID：200903086416320451

薄膜コンデンサ

発明者： 杉井 信之 ,  山田 宏治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189464
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040458
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】金属電極と表面の酸化膜によるコンデンサの容量の減少,損失の増大や再現性の低下を安価な方法で防止する。【解決手段】金属電極上にルテニウム,レニウム,イリジウム,スズ,インジウムの単体金属あるいはこれらの2種以上の合金あるいはチタンニオブ合金を1〜100原子層の厚みにコートし、しかる後にチタン酸バリウムストロンチウム誘電体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

金属電極表面に、ルテニウム,レニウム,イリジウム,スズ,インジウムの単体金属層あるいはこれらの2種以上の合金層、あるいはチタンニオブ合金層(ニオブ含有量5%以下)を設け、その上部に誘電体薄膜を形成したことを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 P