特許

J-GLOBAL ID：200903086423251457

半導体装置

発明者： 上 田 和 宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117111
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】接合部温度を高い精度で求める。【解決手段】半導体素子100に温度測定用ダイオード120を形成する。温度検出回路130は、この温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の温度特性から温度測定用ダイオードが設けられている位置の温度データT1を求める。電流検出回路160は、電流センス用エミッタSEから流れるセンス電流を測定し、演算部140は、このセンス電流の値に基づいて、補正温度T2を算出する。そして、演算部140は、温度データT1に補正温度T2を加算することにより、接合部温度T3を求める。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、 前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として算出する、基準温度算出部と、 前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、補正温度を算出する、補正温度算出部と、 前記基準温度に前記補正温度を加算することにより、接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G01K7/01 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/08 ,  H03K17/56

FI (4件)：

G01K7/00 391Z ,  H03K17/08 Z ,  H01L27/04 F ,  H03K17/56 Z

Fターム (14件)：

5F038AZ08 ,  5F038BH16 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX11 ,  5J055BX16 ,  5J055CX00 ,  5J055DX09 ,  5J055EY12 ,  5J055EZ29 ,  5J055EZ39 ,  5J055GX02 ,  5J055GX07 ,  5J055GX09