特許
J-GLOBAL ID:200903086425967743

水素吸蔵合金電極およびその製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-064243
公開番号(公開出願番号):特開平9-259870
出願日: 1996年03月21日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】【課題】 高容量でサイクル特性、高率放電特性に優れた水素吸蔵合金電極を実現すること。【解決手段】 水素吸蔵合金の表面にグラファイトなどの高結晶性カーボン(結晶面間隔d値が3.45以下)が遊星ボールミル等の機械的な応力によって拡散層を有して付着しているものである。この際、高結晶性カーボンが付着した水素吸蔵合金の粉末X線回折測定においてカーボンのピークが存在し、かつカーボンピーク強度/水素吸蔵合金メインピーク強度比が単純混合時の強度比の1/2以下になっていることを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
水素吸蔵合金の表面にカーボンの拡散層を有していることを特徴とする水素吸蔵合金電極。
IPC (2件):
H01M 4/24 ,  H01M 4/26
FI (2件):
H01M 4/24 J ,  H01M 4/26 J
引用特許:
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る