特許

J-GLOBAL ID：200903086427455448

半導体装置及びその製造方法と半導体装置の実装構造

発明者： 飯塚 肇
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277682
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 上下2枚の半導体チップを持つコンパクト化、高集積化されたCSPタイプの半導体装置を得る。【解決手段】 上下2枚の半導体チップ10の背面を、接着層30を介して互いに接合する。2枚の半導体チップ10の電子回路形成面側に当たる外側表面には、封止樹脂層40を形成する。また、半導体チップ10に形成された電子回路に電気的に接続された導体ポスト50を、封止樹脂層40を上下に貫いて、その上部を封止樹脂層40の上方に突出させて形成する。そして、その構造を、接着層30を挟んでほぼ上下に対象に形成して、その上下2枚の半導体チップ10を持つ半導体装置が上下方向等に反るのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

上下2枚の半導体チップが、その背面を接着層を介して互いに接合され、その接合された2枚の半導体チップの電子回路形成面側に当たる外側表面には、封止樹脂層が形成され、前記半導体チップの電子回路に電気的に接続された導体ポストが、前記封止樹脂層を上下に貫いてその上部を封止樹脂層の上方に突出させて形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L