特許

J-GLOBAL ID：200903086429204604

半導体装置およびその製造方法

発明者： 楠本 修 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子 ,  内田 正雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221078
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063860
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】コストの低減および歩留まりの向上を図ることができ、高耐圧,低損失の炭化珪素の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のウェハでは、炭化珪素の劈開面である第1の切断方向と第2の切断方向とに沿って複数のショットキーダイオード(素子)9が配置しており、各ショットキーダイオード9におけるショットキー電極6は、その側面が2つの切断方向に沿うように平行四辺形の平面形状で設けられている。ウェハを分離してチップを形成するときには、切断方向が劈開方向に沿っているため、大きな欠陥の発生を伴わずに容易にダイシングを行なうことができる。また、限られたチップ面積の中で電極面積を大きく取ることができるため、得られる電流量を多くすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体基板と、 上記半導体基板の上にエピタキシャル成長により設けられた炭化珪素層と、 上記炭化珪素層の上方に設けられた第1電極と を備える半導体装置であって、上記半導体装置の平面形状における輪郭を構成する辺のうち、互いに平行でない少なくとも2つの辺が、上記半導体基板の劈開面とほぼ平行であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/301 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (9件)：

H01L21/78 U ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 B ,  H01L29/48 F

Fターム (55件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104FF34 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GN02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF51 ,  5F140BH12 ,  5F140BH15 ,  5F140BH21 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21