特許

J-GLOBAL ID：200903086433520863

半導体光集積素子

発明者： 高野 信司 ,  蓮見 秀世
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347002
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193210
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 従来、変調器部やDBR部をパルス変調あるいは周波数(FM)変調した場合に、レーザ部との間でキャリアの移動・拡散により副モード抑圧比の低下や雑音の増大などレーザ動作の不安定を招くという欠点のあった集積型の素子の課題を解決し、素子間のクロストークが生じず、かつ作製方法の容易な半導体光集積素子を提供する。【構成】 光ガイド層あるいは光能動層を含む半導体層からなる素子のうち少なくとも2つの素子を光ガイド層よりもバンドギャップの大きな半導体によって隔てた構成とする。

請求項（抜粋）：

光ガイド層あるいは光能動層を含む半導体層からなる素子を複数集積してなる半導体光集積素子において、素子のうち少なくとも2つの素子が光ガイド層よりもバンドギャップの大きな半導体によって隔てられていることを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (2件)：

H01L 27/15 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-037595
  
• 半導体光集積素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180746   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-319986