特許

J-GLOBAL ID：200903086435081573

半導体装置およびその製法

発明者： 桑村 誠 ,  伊藤 達志 ,  水谷 昌紀 ,  福島 喬 ,  首藤 伸一朗
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304991
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150128
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】フリップチップ/サーフェスマウント構造等における樹脂封止部分へのカーボン等顔料に起因する凝集物の形成を防ぐ。【解決手段】配線回路基板(ドーターボード)1面に、複数の接続用電極部2を介して半導体素子3が搭載されている。上記配線回路基板1とその上に搭載されている半導体素子3との間の空隙が、エポキシ樹脂組成物により形成されてなる封止樹脂層10によって封止されている。この組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、顔料と、粒径1μm以下のシリカ粉末の含有割合が、シリカ粉末全体に対して10〜70重量%の範囲に設定されたシリカ粉末成分を含有する常温で固体のエポキシ樹脂組成物であり、そのシリカ粉末成分の含有割合はエポキシ樹脂組成物全体の60〜90重量%の範囲に設定されている。

請求項（抜粋）：

配線回路基板面に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記半導体素子に対応する対応部分が凹部に形成された金属製蓋体が上記半導体素子をその内部に包含した状態で上記配線回路基板に搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が、下記のエポキシ樹脂組成物(A)により形成されてなる封止樹脂層によって封止されていることを特徴とする半導体装置。(A)下記の(a)〜(d)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合がエポキシ樹脂組成物全体の60〜90重量%の範囲に設定された常温で固体のエポキシ樹脂組成物。(a)エポキシ樹脂。(b)フェノール樹脂。(c)粒径1μm以下のシリカ粉末の含有割合が、シリカ粉末全体に対して10〜70重量%の範囲に設定されたシリカ粉末。(d)顔料。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 R