特許
J-GLOBAL ID：200903086438560251
光増感型太陽光発電セル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093909
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285979
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 透明導電膜とn型半導体電極の剥離、受光側の基板と透明導電膜の剥離を長期的に防ぎ、紫外線により(錯体)色素が光触媒反応による分解等で電荷分離を行なわなくなることを防止した長期信頼性を有する太陽光発電セルを提供する。【解決手段】 光増感型太陽光発電セルにおいて、n型半導体電極が厚さ0.8μm以上20μm以下の緻密な紫外線カット層部分8と多孔部分4からなる新規な電極構造とした。
請求項（抜粋）：
受光側の基板、基板のセル内部の側に透明導電膜があり、その透明導電膜に色素の吸着したn型半導体電極があり、その対向する側に導電膜が付いた基板があり対向基板とn型半導体電極の間に電荷を輸送する材料(電荷輸送層)からなる光増感型太陽光発電セルにおいて、n型半導体電極が厚さ0.8μm以上20μm以下の緻密な紫外線カット層部分と多孔部分からなり、受光板の短波長側の吸収端をJv(nm)とし、透明電極の短波長側の吸収端をTv(nm)とし、n型半導体電極の緻密な紫外線カット層部分の短波長吸収端をN1v(nm)とし、n型半導体電極の多孔部分の短波長吸収端をN2v(nm)とするとき、これら吸収端のJv、Tv、N1v、N2vに、Jv≦N1vかつTv≦N1vの関係があり、さらにJv≦N2vかつTv≦N2vの関係があり、受光側基板の屈折率をJnとし、透明電極の屈折率をTnとし、n型半導体電極の緻密な紫外線カット層部分の屈折率をN1nとし、n型半導体電極の多孔部分の屈折率をN2nとするとき、Jn≦Tn≦N1nかつJn≦Tn≦N2nの関係があることを特徴とする光増感型太陽光発電セル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH01
, 5H032HH02
, 5H032HH04
, 5H032HH07
