特許
J-GLOBAL ID：200903086445583968
半導体磁気抵抗素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173335
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022678
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】半導体磁気抵抗素子を小型化しても、高い磁気抵抗変化率を維持し、かつ高入力インピーダンスを維持し、低消費電力化を達成すること。【解決手段】基板11上に半導体動作層12を設け、この半導体動作層12上に1組の入出力電極13と複数の短絡電極14を有している半導体磁気抵抗素子において、短絡電極14の断面形状が、半導体動作層12に接する部位が逆凸形状14aを有しており、短絡電極14の断面形状がT字型になっている。素子の表面に対して垂直方向に磁場を印加することにより、素子の抵抗変化がおこる磁気抵抗素子において半導体動作層12と接触する短絡電極14の幅を3μm以下にして素子の小型化を図るとともに、短絡電極14の断面形状をT字型にし、短絡電極の十分な低抵抗化を図り、素子の高い磁気抵抗変化率を維持する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に半導体動作層を設け、該半導体動作層上に1組の入出力電極と複数の短絡電極を設けてなる半導体磁気抵抗素子において、前記短絡電極の断面形状が、前記半導体動作層に接する部位が逆凸形状を有することを特徴とする半導体磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L43/08
, G01R33/09
, H01L43/12
H01L43/08 S
, H01L43/08 D
, H01L43/12
, G01R33/06 R
2G017AA02
, 2G017AD55
, 2G017AD61
