プラズマ処理方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163308
出願日： 1990年11月30日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】従来技術は処理後に残留する吸着力について考慮されておらず、ウェハの電極からの取りはずしに時間がかかるという課題があった。本発明の目的は残留吸着力を低減してウェハの取りはずしを容易にし、ウェハ搬送の信頼性を向上させることにある。【解決手段】上記目的を達成するために静電吸着とガス冷却を併用してウェハの冷却を行ない、さらに、処理中のウェハに作用する荷重、裏面圧力、あるいは電圧印加時間等を検出して処理中の静電吸着力を変化させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

ウェハを静電吸着力により電極上に支持した状態で裏面に冷却ガスを導入し、プラズマ処理する際に、該プラズマ処理中に前記静電吸着力を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/68 , B23Q 3/15 , C23C 14/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H02N 13/00 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/68 R , B23Q 3/15 D , C23C 14/50 A , C23F 4/00 A , H02N 13/00 D , H05H 1/46 B , H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-122922
特開昭60-115226

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