特許
J-GLOBAL ID：200903086459303321
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234564
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 イオンビームの一部がそのビームライン上の構造物に衝突することによって発生したパーティクルによるウェーハの汚染を低減することができるようにしたイオン注入装置を提供する。【構成】 分析スリット6と加速管8の入口部との間に第1のスローイオンサプレッサ電極30を設け、かつ、ファラデーケース22の入口部のマスク16のすぐ下流側に第2のスローイオンサプレッサ電極34を設けた。これらのスローイオンサプレッサ電極30および34には、それぞれ、そこを通るイオンビーム2の電位よりも例えば数百V程度の正電位をスローイオンサプレッサ電源32および36によって付与するようにしている。
請求項（抜粋）：
イオンビームを分析スリットおよびその下流側に設けられた加速管を通してウェーハに照射する構造のイオン注入装置において、前記分析スリットと加速管との間に、そこを通るイオンビームの電位よりも正の電位が付与されるスローイオンサプレッサ電極を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
