特許
J-GLOBAL ID：200903086460571739
行冗長性を取入れた不揮発性半導体メモリを消去する回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116659
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318398
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 メモリアレイ内部の短絡行と置換えるための冗長行を含むフラッシュメモリの消去を独立して制御する回路を提供する。【構成】 消去指令はシーケンサ回路を起動し、シーケンサ回路は、消去事象のタスクを実行する制御装置をスケジューリングする。消去事象の制御をネスティングすることにより、シーケンサ回路は消去事象を容易に変更できるよにする。シーケンサ回路は、消去指令を受信するとプレコンディション制御装置を起動する。そこで、プレコンディション制御装置は、短絡行の中のメモリセルを含めてメモリアレイのプレコンディショニングを管理する。プレコンディション制御装置は、短絡行と冗長行との置換えをディスエーブルすることによりこれを実行する。その後、シーケンサは消去制御装置を起動する。そこで、消去制御回路は消去を管理する。回路はポストコンディション制御装置と、プログラム制御装置とをさらに含む。
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体メモリと同一の基板上にあり、不揮発性半導体メモリの消去を制御する回路において、a)消去指令に応答して第1の制御信号と、第2の制御信号とを発生するシーケンサ回路と;b)第1の制御信号によりイネーブルされ、不揮発性半導体アレイのプレコンディショニングを制御するプレコンディション制御装置と;c)第2の制御信号によりイネーブルされ、不揮発性半導体アレイの消去を制御する消去制御装置とを具備する回路。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 301
