特許

J-GLOBAL ID：200903086464617580

チオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法

発明者： 若松 茂 ,  壁田 桂次 ,  今井 高史
出願人/特許権者： 東芝シリコーン株式会社
代理人 (1件)： 津国 肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304738
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139882
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 クロロジシラン化合物およびチオフェン誘導体から、チオフェン環含有ポリオルガノシランを簡便かつ安全に製造する方法を提供する。【解決手段】 クロロジシラン化合物とハロゲン含有チオフェン誘導体を、ハロゲン化第四級ホスホニウムのような転位触媒の存在下に反応させることを特徴とするチオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1):【化1】(式中、Rはたがいに同一でも異なっていてもよく、水素原子または置換もしくは非置換の炭素数1〜20の1価の炭化水素基を表し;Xはハロゲン原子を表し;mおよびnはそれぞれ独立して1または2の数である)で示されるジシラン化合物と、一般式(2):【化2】(式中、R1 はたがいに同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素数1〜20のアルキル基を表し;X1 はハロゲン原子を表し;X2 は水素原子またはハロゲン原子を表し;pは1以上の数である)で示されるチオフェン環含有化合物とを、第三級アミン、カルボン酸アミド、アルキル尿素、ハロゲン化第四級アンモニウム、第三級ホスフィン、リン酸アミドおよびハロゲン化第四級ホスホニウムならびにそれらの混合物からなる群より選ばれる触媒の存在下に反応させることを特徴とするチオフェン環含有ポリオルガノシランの製造方法。