特許
J-GLOBAL ID:200903086465165011

レジスト塗布装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-108889
公開番号(公開出願番号):特開平10-303101
出願日: 1997年04月25日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】 エッジリンス時にフォトレジストの膜厚むらや膜減りの発生を抑制したレジスト塗布装置を提供する。【解決手段】 フォトレジスト膜30が形成された半導体ウェハ11のエッジリンス部11aからのリンス液飛沫がエッジリンス部11aの内側のフォトレジスト膜30に付着するのを防止する付着防止板60を取り付けたエッジリンス用ノズル18を有するレジスト塗布装置により、半導体ウェハ11にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜30を形成した後、エッジリンスを行い、エッジリンス部11a上のフォトレジスト膜30を除去する。【効果】 半導体装置の製造歩留が向上する。
請求項(抜粋):
エッジリンス機構を有するレジスト塗布装置において、前記エッジリンス機構のエッジリンス用ノズルに隣接した位置に、被処理基板周縁部からのリンス液飛沫が前記被処理基板上に付着するのを防止する付着防止板を設けたこと特徴とするレジスト塗布装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502
FI (3件):
H01L 21/30 577 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 C

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