特許
J-GLOBAL ID：200903086466171732
半導体結晶成長速度の測定法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223082
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088260
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 超高真空中およびガス中にも適用することが可能であり、完全かつ操作が容易な半導体結晶成長速度の測定法を提供する。【構成】 結晶成長用反応容器内に半導体基板を装着し、該半導体基板にp偏光した入射光をブリュースタ角近傍で照射し、該半導体表面から反射して得られる反射光を検出し、該反射光の反射率差を観測して半導体エピタキシャル成長状況表示情報を得る測定方法において、化合物半導体の成長中に生じる二次元核密度の生成速度に比例する結晶成長速度を、その二次元核密度の変化に伴う表面誘電率の変化を前記反射光強度の振動として観測し、その振動の周期から結晶成長速度を成長中にその場測定する。
請求項（抜粋）：
結晶成長用反応容器内に半導体基板を装着し、該半導体基板にp偏光した入射光をブリュースタ角近傍で照射し、該半導体表面から反射して得られる反射光を検出し、該反射光の反射率差を観測して半導体エピタキシャル成長状況表示情報を得る測定方法において、化合物半導体の成長を二次元核成長が生じる条件で行いつつ、この二次元核密度の変化に伴う表面誘電率の変化を前記反射光強度の振動として観測し、その振動の周期から結晶成長速度を成長中にその場測定することを特徴とする半導体結晶成長速度の測定法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
