特許
J-GLOBAL ID：200903086470542893
マスク数を低減したMOSゲートデバイスの製造プロセス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349093
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 パワーMOSFETのようなMOSゲートデバイスを形成するための低減したマスク工程を有する製造プロセスを提供する。【解決手段】 MOSゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ50とセルボディ50中のソース領域51を連続して形成するための第1のマスク30を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部80、81を形成し続いて中央開口部80、81を囲む酸化物60をアンダーカットするための第2のマスク工程を有する。それからコンタクトレイヤ84が、各セスの開口部80、81に充填され、ボディ50とソース領域51を接続する。この工程では一回の厳格なマスクアライメント工程が用いられるだけである。
請求項（抜粋）：
MOSゲート半導体デバイスの製造方法であって、a)シリコン基板上にゲート絶縁材層を形成し、該ゲート絶縁材層の上にポリシリコン層を形成し、該ポリシリコン層の上に第1ホトレジスト層を形成し、該ホトレジスト層に第1ホトリソグラフ工程を使用して多数の間隔をおいた開口を形成して上記ポリシリコン層を部分的に露出させ、b)上記第1ホトレジスト層の複数の間隔をおいた開口を介して露出されるポリシリコン層の部分をエッチングして上記シリコン基板の表面上に位置する上記ポリシリコン層の対応する領域を除去し、c)上記ポリシリコン層中の上記複数の開口の夫々すべてに対応し、その下部に位置する上記シリコン基板の表面領域に第1導電型の不純物を導入して、上記第1導電型の不純物が多量にドープされた第1拡散領域を形成し、d)上記第1の導電型と反対の導電型の第2導電型の不純物を上記シリコン基板の表面領域に導入し、上記シリコン基板の表面領域の各々において上記第1拡散領域は第2拡散領域よりも小さい最終深さを有する、上記第2導電型の不純物が多量にドープされた第2拡散領域を形成し、e)上記第1及び第2拡散領域を形成する前に、上記第2導電型の不純物を導入して、該第2拡散領域より深くて広い、かつ該第2拡散領域より低濃度の第3拡散領域を形成し、f)上記MOSゲート半導体デバイスの上面に第2絶縁層を堆積させ、上記第2絶縁層上に第2ホトレジスト層を形成し、g)上記第1ホトリソグラフ工程と一致した第2ホトリソグラフ工程により上記第2ホトレジスト層に複数の中央開口を形成する方法であって、その各々は上記ポリシリコン層の複数の開口の各々に対し実質的に中央に位置し、かつ、上記複数の中央開口は上記第1拡散領域の各々の横幅よりも小さい横幅を有し、h)該方法は、更に、上記第2ホトレジスト層の複数の中央開口を介して露出される上記第2絶縁層のある部分をエッチングして、上記第2絶縁層に開口を形成し、上記シリコン基板の対応する下方の第2表面領域を露出させ、かつ上記第2ホトレジスト層をアンダーカットし、上記第2絶縁層のアンダーカット部分は該第2絶縁層の湾曲した壁をエッチングする等方性エッチングにより形成され、上記第2ホトレジスト層に、凹部を縁取るようにオーバーハングしたシャドウマスクリップを形成し、上記オーバーハングしたシャドウマスクリップをシャドウマスクとして用いた異方性シリコンエッチングにより、上記第1拡散領域の深さよりも大きい深さまで上記第2表面領域に上記凹部をエッチングし、上記シリコン基板の表面に丸いエッジを形成して、かつ導電層の構造を改良し、i)上記表面上に上記導電層を堆積させることにより該導電層を上記凹部の底部に位置する第2拡散領域に接触させると共に、上記凹部の上部の、および上記アンダーカット部分に隣接した上記シリコン基板の表面領域の露出部分の、上記第1拡散領域に接触させる方法であって、上記第2拡散領域の各々は、共通の境界部を有して、上記第1拡散領域の各々を取り囲むことを特徴とするMOSゲート半導体デバイスの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 21/768
, H01L 29/41
, H01L 29/744
, H01L 29/749
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
H01L 29/78 658 B
, H01L 21/28 L
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 E
, H01L 21/90 C
, H01L 29/44 C
, H01L 29/74 C
, H01L 29/74 601 A
