特許
J-GLOBAL ID：200903086474878853
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151647
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 極性マ-クを有する小型の樹脂封止型半導体装置において。樹脂封止終了後に半導体装置を樹脂封止金型内から取り出す際の、樹脂と樹脂封止金型との接着力による、半導体装置とリ-ドフレ-ム界面への応力を低減し、信頼性の低下がなく、極性マ-クを樹脂封止時に形成できる樹脂封止技術を提供する。【構成】 樹脂封止金型内に具備されるイジェクタ-ピンを半導体装置の極性マ-ク位置に配置し、半導体装置と接触する面を粗面としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子、金属接続子を電気的に接続したリ-ドフレ-ムを樹脂封止金型内に配置し、樹脂を射出することにより半導体装置を樹脂封止する製造方法において、極性マ-クを樹脂封止金型内に具備されるイジェクタ-ピンにより形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/00
