特許
J-GLOBAL ID：200903086475187404
半導体製造装置及びそれを使用する半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029885
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】高周波又はμ波により発生させた酸素プラズマ中の酸素原子ラジカルを用い、高速かつ一定に保持した処理レートで所定の処理を行うことができる半導体製造装置及びそれを使用する半導体製造方法を提供することを目的とする。【構成】ダウンフロー型アッシング装置は、μ波を導入するμ波導波管10、μ波導波管10に導入されたμ波によってO2 プラズマを発生させるプラズマ発生室12、及びO2 プラズマ中の酸素原子ラジカルによりアッシング処理を行うアッシング反応室14から構成される。そしてこのAl製のアッシング反応室14内壁が、石英膜16によって全面的に覆われている。また、プラズマ発生室12からアッシング反応室14へ酸素原子ラジカルを透過させる多数の小穴がシャワー状に開口されたAl製のシャワーヘッド22表面が、石英膜24によって全面的に覆われている。
請求項（抜粋）：
高周波又はマイクロ波により、酸素を含むガスを放電させて酸素プラズマを発生させる発光室と、前記高周波又は前記マイクロ波を遮断すると共に、前記発光室内で発生させた前記酸素プラズマ中の酸素原子ラジカルを透過させる遮断手段と、前記遮蔽手段を透過した前記酸素原子ラジカルを用いて所定の処理を行う反応室とを有する半導体製造装置において、前記遮蔽手段表面が石英又はセラミックで覆われていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/42
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
