平面検出器及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401640
公開番号（公開出願番号）：特開2002-202373
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【目的】X線用の平面検知器に関し、特に間接方式の平面検出器における解像度特性を改善する構成および方法を提供する。【解決手段】この発明の平面検出器1は、シンチレータ層27と、シンチレータ層下に、光導電膜からなるフォトダイオード25と電荷蓄積容量部13とスイッチング素子14とを有する画素単位の光電変換素子が複数配列してなるアクティブマトリクス光電変換基板11と、アクティブマトリクス光電変換基板の側から成長または成膜され、画素単位の光電変換素子を周縁してシンチレータ層を個々の画素単位の領域に分離する隔壁28を有する。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子部と、各々が前記スイッチング素子に電気的に接続された複数のフォトダイオードおよび電荷蓄積容量とを有するアクティブマトリクス光電変換基板と、前記アクティブマトリクス光電変換基板上に堆積されたシンチレータ層と、前記アクティブマトリクス光電変換基板上に形成され、前記シンチレータ層を区画する隔壁と、を有することを特徴とする平面検出器。

IPC (4件)：

G01T 1/20 , H01L 27/14 , H01L 31/09 , H04N 5/32

FI (6件)：

G01T 1/20 B , G01T 1/20 G , H04N 5/32 , H01L 27/14 K , H01L 27/14 D , H01L 31/00 A

Fターム (38件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088GG13 , 2G088GG16 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ13 , 2G088LL09 , 2G088LL12 , 2G088LL15 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118CA32 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA09 , 4M118GA10 , 5C024AX11 , 5C024CX00 , 5C024CY47 , 5C024GX00 , 5C024GX03 , 5F088AA02 , 5F088AB05 , 5F088BB03 , 5F088EA16 , 5F088FA04 , 5F088HA15 , 5F088LA08

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