特許

J-GLOBAL ID：200903086495001196

太陽電池素子の製造方法

発明者： 岡田 健一 ,  高橋 宏明 ,  府川 祐子 ,  藤井 修一 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049368
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、半導体接合部が破壊されて出力特性が低下するという問題があった。【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板1の一主面側に他の導電型を呈する領域1aを形成すると共に、反射防止膜2を形成し、この半導体基板1の他の主面側と上記反射防止膜に電極材料4、5を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記反射防止膜2と電極材料5との間にシリサイド化しうる金属材料3を介在させて上記電極材料5を焼き付けるようにした。

請求項（抜粋）：

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間にシリサイド化しうる金属材料を介在させて前記電極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

Fターム (12件)：

5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA01 ,  5F051FA17 ,  5F051FA21 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320590   出願人：シャープ株式会社