特許
J-GLOBAL ID:200903086496421270

半導体装置、半導体装置の製造方法及び実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田辺 恵基
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-349355
公開番号(公開出願番号):特開平9-172021
出願日: 1995年12月19日
公開日(公表日): 1997年06月30日
要約:
【要約】【課題】半導体装置上に設けられた各バンプと基板の対応する各ランドとの接合の信頼性が低い問題があつた。【解決手段】半導体装置(10)の一面(10A)に形成された複数の電極(10B)上にそれぞれ所定の導電部材(12′)を供給し、各電極(10B)上にそれぞれ供給された各導電部材(12′)を錐形状(12)に成型する。これにより、半導体装置(10)の電極(10B)間ピツチが小さい場合でも、当該半導体装置(10)を基板(11)上に実装した際、半導体装置(10)の各バンプ(12)を基板(11)の対応する電極(11A)に確実に接合させることができるので接続不良を防止することができ、かくして基板上への実装の信頼性を向上し得る半導体装置、当該半導体装置の製造方法及び信頼性を向上し得る実装方法を実現することができる。
請求項(抜粋):
一面に設けられた複数の電極と、各上記電極上にそれぞれ形成された錐形状のバンプとを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311
FI (3件):
H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 L

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