成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-063052
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245516
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】本発明の目的は、高い密着性および膜強度を有し、かつ優れた特性を発揮する無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、この無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基板(基材)2上に無機酸化物粒子81aを堆積させて、無機酸化物粒子81aの集合物81を膜状に形成する第1の工程と、無機酸化物粒子81aを溶解し得る溶剤82aを集合物81に供給し、無機酸化物粒子81aの表面を溶解させ、無機酸化物粒子81aの溶解物で無機酸化物粒子81a同士の間を充填または無機酸化物粒子81aの表面を被覆する第2の工程と、溶解物を析出させた析出物82bで、集合物81を安定化する第3の工程とを有するものである。また、第3の工程の後、析出物82bを酸化物82cに変化させる処理を施す第4の工程を有するのが好ましい。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基材上に無機酸化物粒子を堆積させて、前記無機酸化物粒子の集合物を膜状に形成する第1の工程と、前記無機酸化物粒子を溶解し得る溶剤を前記集合物に供給し、前記無機酸化物粒子の表面を溶解させ、前記無機酸化物粒子の溶解物で前記無機酸化物粒子同士の間を充填または前記無機酸化物粒子の表面を被覆する第2の工程と、前記溶解物を析出させた析出物で、前記集合物を安定化する第3の工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , H01B 5/14 , H01B 13/00 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/320

FI (5件)：

H01L21/288 Z , H01B5/14 A , H01B13/00 503B , H01L29/78 616K , H01L21/88 B

Fターム (69件)：

4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033KK01 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110PP03 , 5F110PP33 , 5F110PP36 , 5F110QQ06 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC05 , 5G323BA02 , 5G323BB02 , 5G323BC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

導電性・高屈折率膜形成用塗料及び導電性・高屈折率膜付き透明材料積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-118061 出願人：住友セメント株式会社

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