特許
J-GLOBAL ID：200903086502267423
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276685
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130898
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 ゲート幅が長くなっても、半導体装置内に形成される寄生バイポーラトランジスタの動作の抑制を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】 この発明に基づいた半導体装置およびその製造方法によれば、ソース領域6dに、バックゲート領域2と電極層9とを電気的に接続するためのp型の拡散領域5dが設けられている。これにより、ソース領域6dとp型の拡散領域5dとはともに電極層9と電気的に接続されることとなり、ソース領域6dとバックゲート領域2とは同電位となる。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の半導体領域と、前記主表面の上に絶縁膜を介在して形成された所定の長さと幅とを有する導電層と、前記導電層を長さ方向に沿って挟むように、前記半導体領域の前記主表面から所定の深さにかけて形成された1対の第2導電型の第1および第2不純物領域と、前記第1不純物領域と電気的に接続された電極層と、前記第1不純物領域に形成され、前記半導体領域と前記電極層とを電気的に接続するための第1導電型の接続層と、を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 27/06 321 B
, H01L 27/08 321 F
