特許
J-GLOBAL ID:200903086507584389

電子写真感光体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-186408
公開番号(公開出願番号):特開平5-232731
出願日: 1980年11月08日
公開日(公表日): 1993年09月10日
要約:
【要約】【目的】環境汚染性、耐熱性、表面硬度、摩耗性等について優れた特性を損なうことなく、電荷受容能力を著しく向上し残留電位も低いa-Si光導電体層を作像表面とする電子写真感光体を提供する。【構成】導電性基板上に、厚さが0.2乃至5ミクロンで0.05乃至1atomic%の酸素と20000ppmまでの周期律表第IIIb族不純物とを含有するアモルファスシリコン障壁層と、厚さが5乃至60ミクロンのアモルファスシリコン光導電体層とを積層してなる。
請求項(抜粋):
導電性基板上に、厚さが0.2乃至5ミクロンで0.05乃至latomic%の酸素と20000ppmまでの周期律表第IIIb族不純物とを含有するアモルファスシリコン障壁層と、厚さが5乃至60ミクロンのアモルファスシリコン光導電体層とを積層したことを特徴とする電子写真感光体。
IPC (2件):
G03G 5/08 336 ,  G03G 5/08 334

前のページに戻る