特許
J-GLOBAL ID：200903086511734689
半導体装置における薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074711
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における薄膜の形成方法に関し、中でもその膜のグレイン成長を、より円滑に行なう方法を提供することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明では、半導体基板上に膜を形成した後、その基板を外気をさらすことなく、連続して熱処理するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配線材料である薄膜を形成した後、その基板を外気に触れさすことなく連続して不活性ガス雰囲気中で熱処理して、前記膜のグレイン成長を行なうようにしたことを特徴とする半導体装置における薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/58
, H01L 21/3205
