特許

J-GLOBAL ID：200903086513444459

半導体レーザ

発明者： 董 杰 ,  松本 功
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252539
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097790
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 波長2μm帯で発振する高性能の半導体レーザの提供。【解決手段】 本発明の半導体レーザは、波長2μm帯で発振するInGaAs/InGaAsP材料を用いた圧縮歪み量子井戸半導体レーザであって、光閉じ込め層のバンドギャップEoclと量子井戸層の基底準位間の発光遷移エネルギーEwellとの差ΔEが275〜300meVであることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

波長2μm帯で発振するInGaAs/InGaAsP材料を用いた圧縮歪み量子井戸半導体レーザであって、光閉じ込め層のバンドギャップEoclと量子井戸層の基底準位間の発光遷移エネルギーEwellとの差ΔEが275〜300meVであることを特徴とする半導体レーザ。