特許

J-GLOBAL ID：200903086513657401

半導体装置の製造方法

発明者： 岡本 九弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013503
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206267
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハのダイシング方法に関し、ダイシング時に生じる微小破片が後にチップ表面に付着することを防ぐことを目的とする。【構成】 ウェーハ1の裏面に粘着テープ2を貼付した後、ウェーハ1のスクライブラインに沿って切断し、ウェーハ1の表面から粘着テープ2に達するダイシング溝4を形成してウェーハ1を個々のチップ3に分割し、その後粘着テープ2を拡張し、その後チップ3表面とダイシング溝4内を洗浄して微小破片3aを除去する。粘着テープ2が紫外線硬化型又は熱硬化型の場合は、洗浄工程以前に紫外線照射又は加熱を施して粘着テープの粘着力を低下させる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ(1) の裏面に粘着テープ(2) を貼付する工程と、該ウェーハ(1) の表面から該粘着テープ(2) に達するダイシング溝(4) を形成して該ウェーハ(1) を個々のチップ(3) に分割する工程と、該粘着テープ(2) を拡張する工程と、該チップ(3) 表面及び該ダイシング溝(4) 内を洗浄する工程と、をこの順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。