特許

J-GLOBAL ID：200903086514214287

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 垂井 敬次 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175506
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 ガラスからの不純物の影響を抑制し、結晶粒のおおきな多結晶Si膜を得ることにより、移動度の高いトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】 ガラス基板1上にSiN膜2とSiO2膜3を成膜し、その上に多結晶Si膜4、ゲート絶縁膜5、下層ゲート電極6aの積層膜を形成し島状パターンに加工した後、基板全面に絶縁体7を成膜し異方性エッチングすることで島状パターンの側壁にのみ絶縁体7’を残存させる。また、絶縁体7と下層ゲート電極6aとのエッチング選択比を利用することで選択的にエッチングが行われる。また異方性エッチングの際、絶縁体エッチング中のプラズマ分光特性と基板表面のSiO2膜3が露出したとき、あるいは更にその下のSiN膜2が露出した時のプラズマ分光特性の差異を確認することでエッチング時間を制御する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、該基板上に設けた第1の絶縁体と、該第1の絶縁体上に半導体層、ゲート絶縁膜、下層ゲート電極が順次積層された後島状にパターニングされてなる積層膜の島状パターンと、該積層膜の島状パターンの側壁に設けた第2の絶縁体と、前記第1の絶縁体と前記積層膜の島状パターン上に設けた上層ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記第1の絶縁体が酸素を含む珪素化合物からなる膜を基板側に有し、かつ少なくとも、窒素を含む珪素化合物からなる膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 R