特許
J-GLOBAL ID：200903086515372579
半導体装置及び高周波回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264519
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120302
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 GaAs半導体の様な半絶縁性基板上に形成した集積回路を、設計が容易でかつ実装特性の再現性の優れたフリップチップ実装を使用する場合、GaAs集積回路チップ裏面に接地電極が設けられない為に、高周波特性が劣化もしくは不安定になることを改善することと、集積回路チップの発生する熱放散の為の熱抵抗が大きくなり、チップの消費電力が制限されることを改善することである。【構成】 半絶縁性GaAs基板106の主表面に、GaAs基板表面に形成されたショットキー型電界効果型トランジスタ、抵抗素子、インダクタ素子、キャパシタ素子、ダイオード素子などをを集積した半導体チップと、誘電体主表面に配線電極、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ素子などをを形成した誘電体基板101を、互いに向き合って実装し、さらに半導体チップの裏面電極108がセラミック基板101の接地電極103にボンディングワイヤ109などで接続する半導体チップ実装の高周波回路である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に、トランジスタ、抵抗素子、インダクタ素子、キャパシタ素子、ダイオード素子の少なくとも何れかを集積した半導体チップと、誘電体主表面に配線電極、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ素子の少なくとも何れかを形成した誘電体基板が、互いに向き合って実装された半導体装置において、前記半導体チップの裏面に導電体膜を有し、かつ導電体膜が、前記誘電体基板の接地電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 321
, H01L 23/12
, H01P 3/02
, H05K 1/18
