特許
J-GLOBAL ID：200903086515726478
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019591
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013547
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 占有面積を増やすことなく、下部電極の表面積を拡大して大容量の容量素子を形成する。【構成】 フィールド酸化膜が形成されたシリコン基板21にドープトポリシリコンを形成したのち、弗化水素酸を主成分とする水溶液中で陽極化成して多孔質シリコン23aを形成する。つぎに800〜900°Cの熱処理を加えて孔の大きさを数10nmまで拡げる。つぎに多孔質シリコン23aをエッチングして下部電極とする。つぎにCVD窒化膜および熱酸化膜からなる容量絶縁膜を形成する。つぎにドープトポリシリコンからなる上部電極を形成する。【効果】 下部電極内部に形成された孔によって表面積が拡大され、電荷蓄積量を10〜100倍に増やすことができた。
請求項（抜粋）：
表面積の増加で電気的特性の向上を図れる電気回路の構成要素を含む半導体装置において、上記構成要素は多孔質シリコンからなる表面を有する多結晶シリコンで形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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