特許
J-GLOBAL ID：200903086516877542
半導体メモリおよびその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090044
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302193
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】強誘電体を用いて、製造が容易でS/Nが高く高集積化に適した不揮発性メモリを提供する。【構成】メモリセルキャパシタCF1のプレート電極PL1をHighとLowの中間電位に、ダミーセルキャパシタDCF2のプレート電極DPLをLowに、データ線DL,DBをHighに充電してからトランジスタTR1,DTR2を導通させる。DCF2にはCF1より大きな電圧がかかり、DBの電圧変動はCF1の分極非反転時におけるDLの電圧変動より大きい。これを参照電位として用いる。【効果】メモリセルとダミーセルを同構造にすることができ、製造が容易で特性ばらつきが小さくなる。また、メモリセルキャパシタのプレート電極をプレート線に加工しないので高集積化に適する。さらに膜疲労による劣化が軽減される。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と、複数のデータ線と、該データ線とワード線の交差位置に配置した強誘電体キャパシタとスイッチング素子から成るメモリセルおよびダミーセルと、該メモリセルおよびダミーセルのそれぞれを駆動するメモリセルプレート電位供給手段およびダミーセルプレート電位供給手段とを有するメモリセルアレイを具備する半導体メモリにおいて、読み出し時、選択された上記メモリセルに第1のプレート電位を供給する上記メモリセルプレート電位供給手段と、選択された上記ダミーセルに上記第1のプレート電位と異なる第2のプレート電位を供給する上記ダミーセルプレート電位供給手段を備え、さらに上記ダミーセルの強誘電体キャパシタにかかる電圧を上記メモリセルの強誘電体キャパシタにかかる電圧より高くする手段を備えることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
引用特許：
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