特許
J-GLOBAL ID：200903086526740294
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291246
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 Al系配線膜エッチング後の側壁保護膜除去用の後処理に関し,硝酸による配線のコロージョンを防止し,且つ硝酸の使用量を低減した方法の提供を目的とする。【構成】 1)アルミニウムを含む金属からなる配線膜をエッチングする際に形成パターンの側壁に生じる側壁保護膜を硝酸ベーパあるいは硝酸プラズマにより除去する工程を有する,2)前記1)記載の側壁保護膜を除去する工程が,パターニングされたレジスト膜をマスクにした配線膜のエッチングおよび該レジスト膜のアッシング後に行われ,且つ各工程間の搬送は減圧状態が維持されているように構成する。
請求項（抜粋）：
アルミニウムを含む金属からなる配線膜をエッチングする際に形成パターンの側壁に生じる側壁保護膜を硝酸ベーパあるいは硝酸プラズマにより除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
