特許

J-GLOBAL ID：200903086528733830

GaN基板の製造方法

発明者： 池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018013
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208396
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 工業的に使用可能な数mm角のGaN基板を製造する方法を提供することである。【解決手段】 反応性ガス例えばCl2 またはHClをもってエッチングしうる基板例えばSi基板の1面にZnOの薄膜を形成し、このZnOの薄膜の上にGaN層を厚く例えば300μm厚に形成した後、反応温度(1,000°C)に保持したまゝ、Si基板を裏面からエッチングして除去することゝしたGaN基板を製造する方法であり、工業的に使用可能な数mm角のGaN基板を製造することができる。

請求項（抜粋）：

ハロゲン元素を使用してなす気相成長方法を使用してなすGaN基板の製造方法において、反応性ガスをもってエッチングしうる基板の1面にZnOの薄膜を形成し、前記ハロゲン元素を使用してなす気相成長方法を使用して、前記ZnOの薄膜の上にGaN層を形成し、前記基板の、前記ZnOの薄膜と前記GaN層とが形成されている面と逆の面に、前記反応性ガスをもってなすエッチング法を、前記GaN層の成長温度と同一の温度において実行して、前記基板を除去し、残留した前記GaN層を有する前記基板を冷却することを特徴とするGaN基板の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 F