特許
J-GLOBAL ID：200903086537218883
イオンビーム投射方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007954
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199072
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】試料面で歪やボケの小さい良質のイオンビーム投射像を得ることのできるイオンビーム投射方法および装置を提供すること。【解決手段】イオン源1からのイオンビーム4を照射レンズ2を介して開口パターンを有するステンシルマスク8上に照射し、ステンシルマスク8を通過したイオンビーム4を投射レンズ3によって試料9の表面上に投射するイオンビーム投射方法において、投射レンズ3のレンズ強度を揺動させて、この投射レンズ強度の揺動に伴う上記開口パターン像の像位置揺動量をビーム検出器14を用いて測定し、この像位置揺動量が最小となるように、イオン源1からのイオンビームの軌道をアライナ12,12’を用いて修正する。【効果】イオンビームを投射レンズの中心軸上に通すことができるため、良質のイオンビーム投射像が得られる。
請求項（抜粋）：
イオン源からのイオンビームを照射レンズを介して開口パターンを有するステンシルマスク上に照射し、上記ステンシルマスクを通過したイオンビームを投射レンズの略中心位置に集束させて、上記投射レンズによって形成される上記開口パターンの像を試料表面上に投射するイオンビーム投射方法において、上記投射レンズの強度を揺動させて、この投射レンズ強度の揺動に伴う上記開口パターン像の像位置の揺動量を測定する工程を含んでなることを特徴とするイオンビーム投射方法。
IPC (3件)：
H01J 37/305
, H01J 37/21
, H01L 21/027
H01J 37/305 B
, H01J 37/21 Z
, H01L 21/30 541 N
