特許

J-GLOBAL ID：200903086543105071

磁気抵抗効果素子

発明者： 猪俣 浩一郎 ,  高橋 義則 ,  斉藤 好昭 ,  奥野 志保 ,  柚須 圭一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318749
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】ヒステリシス及び飽和磁界が小さく、大きな磁気抵抗変化率を有し、小さな磁界での磁気抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果素子を提供することにある。【構成】貴金属マトリックス11中にFe,Co,Niのうち少なくとも1種の元素を含む結晶質又は非晶質の磁性金属微粒子12が分散した磁性層13と、貴金属を含む非磁性層14との積層膜15で構成された磁気抵抗効果素子が開示される。

請求項（抜粋）：

貴金属マトリックス中にFe,Co,Niのうち少なくとも1種の元素を含む非晶質の磁性金属微粒子が分散した磁性層を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10