特許

J-GLOBAL ID：200903086546522285

青緑色半導体レーザ

発明者： 大川 和宏 ,  辻村 歩 ,  林 茂生 ,  吉井 重雄 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094415
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310809
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 簡素化され再現性がよく、光出力が安定で、動作電圧が低く、寿命の長い青緑色半導体レーザを提供することを目的としている。【構成】 ZnCdSe活性層22をn型ZnSSeクラッド層21とp型ZnSeクラッド層26とp+型ZnSeクラッド層24よりなるダブルヘテロ構造を採用するものである。

請求項（抜粋）：

3nm以上100nm以下の厚みを有するZn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(ただしXは0.05≦X≦0.5の範囲)を活性層とし、ZnSeまたはZnS<SB>X</SB>Se<SB>1-X</SB>(ただしXは0<X≦0.2の範囲)の何れかを含むp型クラッド層とn型クラッド層とを、一層の前記活性層を介して配置したことを特徴とする青緑色半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00